国产光刻机可以达到多少纳米,中科院辟谣光刻机

国产光刻机可以达到多少纳米,中科院辟谣光刻机

而荷兰ASML光刻机之所以如此受欢迎，是因为它生产的芯片，制作工艺可以达到5nm。而我国此前制造的光刻机，技术水平还停留在90nm左右。正因为此，这次国产22纳米光刻机的出现，才让很上海公司表示，上海的公司在90纳米光刻机上取得了进步，并且可以实现14纳米晶圆的批量生产，同时还在5纳米刻蚀机、国产CPU、12英寸大硅片、5G晶圆等领域取得了突破性进展。到目前为

近期国内芯片板块反弹的不错，这是因为低端芯片并不是那么卡脖子而已。目前国内光刻机已经实现了90纳米成熟制程，正在攻克28纳米的光刻机。阿斯麦此举，并不是拒绝美国，而是一个促销手段而已。一目前我们的国产光刻机，从所支持的制造工艺来看，只能支持到90纳米，测试用可支持到65纳米。貌似与ASML目前能够支持到3纳米有着较大差距，不过近日有国外科技媒体表示，其实要正视

也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺。之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首台采用ArF光源的SSA800/10W光刻机，这是一台国产浸没式DUV 光刻机，可实现单次曝综上所述，中国最先进的光刻机是22纳米，尽管中国在EUV光刻机方面已经取得了一定进展，但其量产和商业化进程仍然较为缓慢，未来随着中国技术的高速发展，相信中国很

ˇ△ˇ 而在精度方面，90nm肯定没问题的，同时经过两次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。那么能不能四次曝光，五次曝光，将精度提升上去？事实上，在实际使用中，2目前国产光刻机最先进的设备在分辨率上达到了90nm，但有人表示，在经过多次曝光后可实现更高工艺水平，但也有反驳声音。由于ArFDry光刻机的极限工艺为55nm，因此国产光刻机最多只能

￣□￣｜｜ 第二个是传统的单束光光刻，实际分辨率其实是小于100nm的，可以达到30nm级别，EUV则更小；光刻的分辨率顶尖光刻机用波长13.5纳米的极紫外光源，好刻10纳米以下的线条。但稳定的、大功率的极紫外光源很难造，一个得3000万元人民币。要求工作环境严苛，配合的光学和机