类型:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 总耗散功率(Ptot):175 W 集电极电流(IC):【集电极温度(Tc)=100 ℃】30 A 集电极最大允许电流(ICM):90 A 集电极与发射极电压(VCES):1200 V 集电...
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12n60可以用什么代替 |
11n60c3,fqpf20n60参数
百度爱采购为您找到24条最新的三极管11n60产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω ,K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换,小功率场合可以,代换后发热稍大。可以用20N60C3场效应管,650V 20A 20
型号:11N60C3 类型:N沟道场效应管漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】11 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.38 Ω 封装:TO-220/TO-220F/TO-262T10n60和11n60c3可以相互替换,因为它们的性能参数相同。10n60是N-Channel MOSFET,它具有60V的额定电压,10A的额定电流,Rds(on)为0.065Ω。11n60c3也是N-Channe
●﹏● 全新原装高压管11N60C3 场效应三极管SPP11N60C3 TO220 11A/650V 深圳市龙岗区芯联微电子厂2年月均发货速度:暂无记录广东深圳市福田区¥9.00 全新原装高压管11N60C3 场效应三11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω ,K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换,小功率场合可以,代换后发热稍大。可以用20N60C3场效应管,650V 20A
SPI11N60C3中文资料类似零件编号- SPI11N60C3 制造商部件名数据表功能描述Infineon Technologies ASPI11N60C3 352Kb/14PCool MOS??Power Transistor 2003-07-01 SPI11N60C3 193Kb/14PCool MOS Power Transistor
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