3DNAND是QLC吗,内存颗粒tlc mlc qlc

nand闪存芯片 2023-09-24 13:40 688 墨鱼

nand闪存芯片

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该款QLC试作品为采用堆栈64 层制程技术，实现业界最大容量的768Gb(96GB)产品，已经提供给SSD 厂、控制器厂进行研发使用。西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代B新的176 层QLC NAND 也将整合到精选的Micron Crucial 消费级SSD 中，并作为组件提供给系统设计人员。美光开创性的176 层QLC NAND 提供了QLC NAND 闪存中前所未有的层数和密

3D QLC技术是在传统的3D NAND技术基础上发展而来。传统的3D NAND技术采用了多层垂直堆叠的结构，每层有多个存储单元。而3D QLC技术在每个存储单元中使用了更多的电荷状态，从而英特尔和美光也宣布过64层的QLC 3D NAND，只不过主要应用在企业级产品上，而这次西数的第二代QLC的SSD是消费级产品，闪存采用的是96层堆栈工艺，核心容量达到了1.33TB，比英特尔和

QLC的擦写寿命如此高的原因是3DNAND,可以说如果没有3DNAND,QLC可能还需要推迟几年出现。事实上TLC之所以能够被企业市场所接受，很大程度上也是因为3DNAND。以这就是3D Nand SLC颗粒的原理3D Nand颗粒分为SLC(单层存储单元),MLC(双层存储单元),TLC(三层存储单元),QLC(四层存储单元)四种MLC是双层单元，通过它可以读出的是两两一组的“

据了解，美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB),当然后期很可能会加入QLC。得益于新的闪存架构和堆叠技术，美这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车

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