开关频率3MHZ的MOS管,S8050做开关管频率

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MOS管的高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz; IGBT存在关断拖尾时间，由于关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率，适用于频率较低的场合。目前IGBT硬开关速但是当频率上升到5Mhz ,或者10Mhz ,50Mhz , 100Mhz的时候，就需要考虑到MOS 管的开关频率呢。例如：是一个MOS 管的开关频率需要关注的6个参数，他们只是表明了一个周期的一部分，通

针对不同的开关频率，选择低、中或高速P-MOS管。一般情况下，频率越高，开关速度越快的P-MOS管成本也越高。3.温度环境在高温环境下工作的应用需要选择具有较高耐具体而言，MOS管开关频率的计算公式为：fsw=1/(2πRC×log((VGSh-Vt)/(VGSl-Vt))) 其中，fsw为MOS管的开关频率；R为电路中的电阻；C为电路中的电容；VGSh为MOS管处于导通状态时的栅

低频大功率三极管主要用于特征频率Fr在3MHz以下、功率大于1W的低频功率放大电路中，也可用于大电流输出稳压电源中做调整管，有时在低速大功率开关电路中也用到它；高频大功率三极管主开关电源的辐射一般只会影响到100M以下的频段，也可以在MOS、二极管上加相应吸收回路，但效率会有所降低。1MHZ以内---以差模干扰为主1.增大X电容量；2.添加差模

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●ω● 选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，是较为常见的问题，主要原因是需要从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑；MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率高频功率管即工作频率高的功率管；HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117,耗散功率200W,工作频率可高达100MHz. 功率MOS管金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是场效应晶