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为了表述方便,后面所说的Flash仅指NAND Flash。一、Flash基本组成单元:SLC/MLC/TLC Flash的基本组成单元是浮栅晶体管,其状态可以用来指示二进制的0或1。写操作就是往晶NAND Flash basic operation and structure including cell, string, block, page
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的NAND Flash的存储单元是数据存储的最小单位,目前闪存已经由数千亿个存储单元组成,通过将电子移入和移出封闭在绝缘体中的电荷存储膜来存储数据。NAND Flash存储器使用浮栅晶体管,
╯^╰〉 -提升总线频率,优化AC Timing:在满足可靠传输的基础上,提升NAND Flash总线频率,尽可能使用较小的时序参数进行操作。特别是在Page Size越来越大(2K 4K 8K 16KB)的情况下,优化时序参Nand flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而应用越来越广泛,如嵌入式产品中包括手机、数码相机、U盘等。2)Nor Flash存储器简介Intel于1988年首先
NAND Flash 是一种基于NAND 技术的非易失性存储器,具有以下特点:存储密度高:NAND Flash 存储器件的存储密度远高于传统的Flash 存储器,因此在移动设备、智能终端等领域有着广而且nand flash可以标记坏块,从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。因为nor flash可以进行字节寻址,所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor
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