比较锗中掺杂的电导率,电导率怎么降低

掺杂对电导率的影响 2024-01-05 19:40 236 墨鱼

掺杂对电导率的影响

比较锗中掺杂的电导率,电导率怎么降低

＞▽＜半导体的导电率处于绝缘体和导体之间，通常对温度、光照、磁场和微量杂质原子很敏感，比如每百万硅原子添加约10 个硼原子(称为掺杂剂)可以将其电导率提高一千倍，常用的半导体材料比锗原子的浓度为，试求该掺杂锗材料的电阻率。设，且认为不随掺杂而变化。解：本征半导体的电阻率表达式为：施主杂质原子的浓度故其电阻率例2.在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度，受

首先假设两种材料的掺杂种类都为N型，浓度分别为ns和ng，并且为中等浓度掺杂电导率(忽略少子参与的导电)相等即ns*1450=ng*3800 ns=2.6ng 因为掺杂为N，少子应该是掺杂锗的电阻率ρ )(1043600 106.1104.4112 19 160cm q n n ?Ω?=???==--μρ 12. 试求本征硅在室温(300K)时的电导率iσ。设电子迁移率n μ和空穴迁移率p μ分别为()s V cm

该研究通过多功能的Sb掺杂策略，用于构建具有优异空气稳定性及锂金属相容的硫银锗矿电解质。通过优化掺杂剂浓度，合成的Li6P0.925Sb0.075S5Cl在室温下具有3.6 × 10-3 S cm-1的超高离，载流子浓度为：室温下(300K)硅、锗的电阻率值随施主或受主浓度的变化4、关系。在半导体材料和器件生产中，常用这些曲线进行电阻率与杂质浓度(-N)换算。4-2硅

半导体课后习题答案1-8硅，锗，砷化镓在室温下整体上都是随掺杂浓度升高，电阻率呈线性下降！在重掺杂区域，由于杂质不能完全电离，导致偏离线性。5.4 强电场下的输运和负微分电导弱场下遵循欧姆定律J=σE

后台-插件-广告管理-内容页尾部广告（手机）

标签：电导率怎么降低