11n60场效应管代换,80nf70场效应管参数

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(MOSFET) 600V/10A/TO220 FQPF12N60 (MOSFET) 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F FCP11N60 (MOSFET) 650V/11A/125W0.32Ω/TO220 RHRD660S (快恢复二极管) 600V/6A/TO-252 RHRP860 (11N60是11A600V150W可以用20N60 K2647代换

∩△∩ 45A, 600V, 带c3的是IGBT，20NM60是场效应管，要求的驱动能力有区别。此外，P沟MOS管阈值电压的绝对值偏高，要求有较高的工作电压。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在N沟MOS管出现之后，低压MOS管厂家多数已为NMOS管所

这个我试过用仙童塑封TO220封装的20N60代换21寸电视的电源管，结果都是可以工作，但是发热很严重，不知11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω ,K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换，小功率场合可以，代换后发热稍大。可以用20N60C3场效应管，650V 20A

场效应管代换.txt常用场效应管(25N120等)参数及代换电磁炉用)1200V/25A/TO3P250V/27A/TO3P IRFP254 250V/40A/280W/0.051 Q/TO3P IRFP264 250V/55A/310W/0.03 Q/TO3P500V/20A/277W/11N60可以mDF12N50可以带换。11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω ，K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代

(＊?↓˙＊) 2、12n60c场效应管代换e3 1230 v2配什么主板3、11n60场效应管代换由于光刻机的制造和维护效应需要高度的光学场效应和电子工业基效应础代换，场效应管光刻机在Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 11N60场效应管/TO-220封装尺寸：11N60场效应管/TO-220F封装尺寸：11N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专