flash闪存分类,flash和ram

flash闪存分类,flash和ram

1. FLASH根据内部存储结构的不同，闪存可分为NOR闪存和NAND闪存两种。NOR闪存：像访问SDRAM一样，可以根据数据/地址总线直接访问SDRAM。可以写入的次数少，速度慢什么是闪存？我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而

ˋ△ˊ Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而升级。但是经过了十多年之后，仍然NAND Flash闪存的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC四类，分别是：SLC（英文全称(Single-Level Cell——SLC)即单层式储存SLC技术

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(这是EEPROM的优点)的性能，还不会断电丢失数据(这是EEPROM的优点),同时可以快速读取数据闪存是最主要的存储IC,主要为NOR Flash和NAND Flash两种。半导体存储芯片主要分为非易失性存储IC和易失性存储IC,其最主流的非易失性存储IC为闪存，而Flash又可以分为NOR Flash和NAND

ˇωˇ NAND Flash还可以细分为SLC、MLC、TLC三种。SLC：Single Level Cell 早期的NAND Flash，只需要判断悬浮闸内是否有电荷。假设有电荷为“1”，则无电荷就是“”。一个基本储存单元只另一种类型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND),其通过在同一晶片上垂直堆叠多层存储器单元，这种类型的闪存实现了更大的密度。浮栅晶体管闪存将信息存储在由浮栅晶体管组成

˙▽˙ UFS(Universal Flash Storage:通用闪存存储)不论是数据传输技术，还是工作模式，UFS都全面领先于eMMC,5G时代的到来，旗舰手机的ROM都至少是UFS3.0以上了。RAM: flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操