25n120场效应管引脚,igbt引脚图

25n120场效应管引脚,igbt引脚图

25N120在TO-220封装⾥引出3个引脚，是⼀款低功耗场效应管。25N120的脉冲⼆极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其⼯作时耐温度范围为-55~150摄⽒度。25N120的型号：ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极

型号解析/Model analysis ●【25N120】代表本产品的完整型号●【25N120】代表MOS场效应管●【25】代表其正向电流为25A ●【120】代表其反向耐压为1200V ●【】代表其封装1、常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND ( IGBT ) 1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25FQA55N25FQA18N50V2(MOSFET(MOSFET(MOSFET250V/

25n120型号场效应管是一款优秀的，电子元器件，场效应管可以通过控制一个沟道中的电场强度来控制通过沟道的电流的强度，绝缘栅型场效应管是场效应管的一种，其特点KW25N120E是电磁炉里较常用的一款大功率IGBT管，该管内部采用N沟道场效应管作为输入级，具有很高的输入电阻；输出级为大功率双极型三极管，具有较小的饱和压降，该

25N120规格尺寸：总长度：39.9mm 本体长度：19.9mm 引脚长度：20.0mm 宽度：15.6mm 高度：4.8mm 脚间距：5.45mm 25N120描述：25N120使用专有的沟槽设计和先进的NPT技25N120场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm,加引脚长度为41.55mm,宽度为16.25mm,高度为5.05mm,脚间距为5.7mm。25N120具有高速切换、低饱和电压、高输入阻抗等特性。以上就是