7n60参数,47n60参数

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型号：7N60 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):142 W 漏极电流(ID):7 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.2 Ω 封装：TO-220 更多N沟道场效应管IXFX947N60场效应管参数|7N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号7N60 极性NPN 漏源电压600V 漏极电流7.4A 封装TO-220,TO-220F,TO-220F

7N60参数描述型号：7N60 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管电性参数：7A 600V 连续二极管正向电流(IS)：7A 脉冲二极管正向电流(ISM)：28A 漏源电压(VDSS)：600V场效应MOS管7N60参数产品简介PD最大耗散功率：83W ID最大漏源电流：7A V(BR)DSS漏源击穿电压：600V RDS(ON)Ω内阻：0.6Ω VRDS(ON)ld通态电流：3.5A VRDS(ON)栅极

7N60封装规格：封装：TO-220 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 宽度：10.66mm 高度：5.0mm 脚间距：2.54mm 7N60特征：7A,600V,RDS(ON)=1.2Ω@VGS=10V/3.5A 低栅极电荷低Ciss 快速切换17N60极限参数：  (1)IDSM,最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而

7N60的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为7A,漏源电压(VDSS)为600V,源-漏二极管压降(VSD)为1.5V,反向恢复时间(trr)为648NS。7N60 MOS管参数耗散功率(pd):142 漏源反向电压(Vds):600 栅源反向电压(Vgs):30 漏极电流(连续)(id):17.4 最高结温(Tj),℃:150 上升时间(tr):180 输出电容(Cd)