20n120场效应管管脚参数,25n120场效应管引脚图

20n120场效应管管脚参数,25n120场效应管引脚图

˙△˙ IHY20N120R3参数是VCE=1200V、Ic=40A、Icm=60A、If=40A、Vge=±20V、Pd=310W、td(off)=387ns、tf=25ns、Eoff=0.95mJ、Cies=1503pF、Vce(sat)=1.48V。引脚和电路图IHY20N120型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：封装尺寸：如图特性：场效应

＋▽＋ 常用场效应管(25N120等)参数及代换，常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRF型号IXFN20N120 技术参数品牌：IXYS艾赛斯型号：IXFN20N120 封装：场效应MOS管批号：22+ 数量：1000 发货地：苏州PDF资料.pdf 下载价格说明价格：商品在爱采购的展示标价，

1、常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND ( IGBT ) 1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25FQA55N25FQA18N50V2(MOSFE20n80场效应管参数：10V：电压值，10V时功耗10mA：5%负载下耗散功率小于uA，15%负载下耗散功率小于150 u A，30%负载下耗散功率小于200uA。50mA：10%负载下耗散功率小于500u A

15N120详细参数：型号：MOS管15N120 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 集电极电流(IC):15A 脉冲集电极电流(ICM):45A 二极管连续正20N10封装有TO-252/TO-220/TO-220F 20N10场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V Continuous Drain Current 漏

SCT20N120 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数通道数1 针脚数3 漏源极电阻215 mΩ 耗散功率175 W 阈值电压2 V 输入电容650 pF 漏源极电型号：20N10 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：100V RDS(ON)Max:0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管漏电流：ua 特性：N沟