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系列FGH60N60SMD 栅极—射极漏泄电流400 nA 单位重量6.390 g 可售卖地全国型号FGH60N60SMD 深圳市奥诗达电子有限公司是一家具有丰富经营经验、专业代•细节体现差距FGH60N60SMD,艾赛斯品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。FGH60N60SMD具体参数为：最大漏源电流：60A,漏源击穿电压：600V,反向恢复时间：ns,封装：TO-

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目前FHA60T65A详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。在后极逆变电路的电FGH60N60具体参数为：正向电流：60A,反向耐压：600V,反向恢复时间：5ns,封装：TO-247

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╯▽╰ 编辑-Z 安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD 集电极到发射极电压(VCES):600V 栅极到发射极电压(VGES):±20V 收集器电流(IC):120A 二极管正向电流(IF):60A 最大功耗(PD其实对于单相组串式光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以替代FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。为何？因为FHA60T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢

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