单极晶体管放大电路数据分析,共射放大电路

单极晶体管放大电路数据分析,共射放大电路

˙▽˙ 2.深度负反馈频率特性分析2.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析2.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析3.计算、仿真、测试共射放大电路过程可见，Q点的位置影响着放大电路的电压放大能力应当指出，利用图解法求解电压放大倍数时，△ui的数值越大，晶体管的非线性特性对分析结果的影响越大。3.波形非线

单级晶体管放大电路.pdf,第4 章电子技术基础实验4.2 单级晶体管放大电路的测试1. 实验目的1) 掌握放大电路静态工作点的调整与测量方法。2) 掌握放大电路主1.7.5 微分电路12 1.7.6 差动放大电路13 第2章放大器参数解析15 2.1 放大器数据手册概述15 2.2 失调电压与漂移18 2.2.1 失调电压案例分析18 2.2.2 失调电压定义20 2.2.3 失调电压产生原因

二、射极偏置放大电路1.稳定静态工作点的原理2.电路分析三、基本共集放大电路1. 静态工作点2. 微变等效电路：四、基本共基放大电路1.静态工作点分析2.微电压放大倍数：输入电阻：Ri=RB1//RB2//rbe输出电阻：RO≈RC 由于电子器件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶体管放大电路时，离不开测量和调试技术。在设计前应测量所用元

篇一：晶体管单级放大器实验报告晶体管单级放大器一.试验目的(1)掌握multisium11.0仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。2)掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调单管基本放大电路是最基本的放大电路。图6-3所示为一个典型的共发射极电压放大电路，VT为晶体管，R1、R2为基极偏置电阻，R3为集电极电阻，R4为发射极电阻，C1、C2为耦合电容，C3为发射极

●▽● 答：分析：根据电路可知，当u i>E 时，二极管导通u0=u i, 图1-29 当u i 所示：u/V u 0 10 5 ω t u i 4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况1、电路设计规格（指标）：要求：输入信号：幅值vi=1vpp，sine波形信号，频率1khz；输出信号：Vo=Av*Vi，其中要是Av>=5倍。表格1：电路设计要求记录表2、实验电路原理图：3、设计