tip32c参数,c1384参数管脚图

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其中第一个参数为服务端自身的套接字，第二个参数用于接收客户端的套接字地址结构体，第三个参数用于接收第二个参数的结构体的长度。返回值当accept函数成功拿到一个已完成连接时，型号：TIP32C 类型：PNP三极管集电极耗散功率(PC):40 W 集电极电流(IC):3 A 集电极与基极最高耐压(VCBO):100 V 集电极与发射极最高耐压(VCEO):100 V 发射极与基极最高耐压(VEB

TIP32C 特性集电极-发射极饱和电压- VCE(卫星) = 1.2 Vdc(最大值) @IC= 3.0Adc 集电极-发射极维持电压-VCEO = 60 Vdc (最小值) - TIP31A, TIP32A =80 Vdc (最小值) - TIP31B, TITIP32C由ST设计生产。TIP32C封装/规格：晶体管类型/PNP:集射极击穿电压Vce(Max)/100V:DC电流增益(hFE)(Min&Range)/10:集电极电流Ic/3A:Vce饱和压降(Max)/1.2V:功率耗散/2W:跃迁频率/-:工作温度/+1

系列：TIP32C 高度：9.15 mm 长度：10.4 mm 技术：Si 宽度：4.6 mm 商标：STMicroelectronics 集电极连续电流：3 A 产品类型：BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量：100TIP32C中文参数晶体管类型PNP晶体管配置单最大直流集电极电流0.125最大集电极-基极电压100 V 最大集电极-发射极电压100 V最大发射极-基极电压5 V 封装类型TO-220引脚数目3

TIP32C ST/意法￥2.0 TIP32C中文资料规格参数TIP32C概述类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT) - 单路系列： 晶体管类型：PNP 电流- 集电极(Ic)(最大):3A 电压- 集电极发射极击穿(最大):100Tip32c的最大功率为40W。另外，Tip32c还有一些其他参数，如输入电容(Cib)、输出电容(Cob)、反向传输电容(Cre)等。这些参数通常用于描述晶体管的性能，以及在电路中使用时产生的