硅片掺杂剂B11,三氯化氧磷常用作半导体掺杂剂

p型硅掺杂元素 2023-12-04 19:53 231 墨鱼

p型硅掺杂元素

硅片掺杂剂B11,三氯化氧磷常用作半导体掺杂剂

一种硅片的硼掺杂方法【专利摘要】本发明公开了一种硅片的硼掺杂方法，包括如下步骤：1)在硅片表面设置含硼掺杂剂；然后将表面已含有含硼掺杂剂的硅片送入加热炉管，在氮气气氛首先将多晶硅和掺杂剂放入单晶炉内的石英坩埚中，将温度升高至1420℃以上，得到熔融状态的多晶硅。其中，通过调控放入掺杂剂的种类（B、P、As、Sb）及含量，可以得到不同导电类

元素原子质量Sb 122 As 74 P 31 B 11,Cp,4.3 离子注入，Q:为离子注入剂量(Dose), 单位为ions/cm2,可以从测量积分束流得到，由，可以得到：4.3 离子注入，Q可以精确控制，A为注入面积扩散法是最常用的硅片掺杂方法之一。其原理是将掺杂剂与硅片接触，通过高温加热使掺杂剂原子扩散到硅晶体中。常用的掺杂剂有磷、硼等。在扩散过程中，掺杂剂原子会替代硅晶体中

镓掺杂是目前太阳能拉单晶生产的最新工艺，拉晶掺镓硅片大幅度降低光致衰减，同时可以提高太阳能电池光电转换效率，即使掺镓单晶电阻率低达0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的电池仍然具有良好的品不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性，为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响，选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工，并

9、B 11 Cp ppC RdxxCQ 2 Q:为离子注入剂量(:为离子注入剂量(Dose), 单位为单位为ions/cm2,可以，可以从测量积分束流得到从测量积分束流得到2 2 exp 2 )( p p对硅而言，B、P和As分别是常用的p型和n型掺杂剂，它们在硅中都有极高的固溶度，可高于5×1020cm-3。引入方式有：固态源(BN、As2O3、P2O5);液态源(BBr3、AsCl3、POCl

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