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类型：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 总耗散功率(Ptot):175 W 集电极电流(IC):【集电极温度(Tc)=100 ℃】30 A 集电极最大允许电流(ICM):90 A 集电极与发射极电压(VCES):1200 V 集电FNKS20N60AL TO-220 600 20 208 30 4 180 210 FNKS20N60BL TO-220F 600 20 34.5 30 4 180 210 FNKS20N60FL TO-247 600 20 208 30 4 180 210 FNKS21N60AL TO

NGTB30N65IHL2 IGBT 650V 30A FS2 Induction Heating 650 30 Yes TO-247-3 NGTB35N60FL2 IGBT 600V 35A FS2 Solar/UPS 600 35 Yes TO-247-3 NGTB35N65FL2 IGBT 650V 35A FS2 NGTB50N60FL2WG 晶体管- UGBT、MOSFET - 单MAX829EUK 电源管理IC - 稳压器- DC DC 开关稳压器FQA34N20L 晶体管- FET,MOSFET - 单个CPH3122-TL-E 晶体管- 双极性晶体管(BJT)

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(｀▽′) 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种NGTB30N120LWG 177Kb/9PIGBT September, 2012 ??Rev. 0 More results 类似说明- NGTB30N120FL2WG 制造商部件名数据表功能描述ON SemiconductorNGTB40N60FL2WG 145Kb/10PIGBT - Field Stop II

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