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09-24 116
28nm光刻机多重曝光,中芯国际14nm光刻机
28nm光刻机国产化
2023-09-24 16:49
116
墨鱼
| 28nm光刻机国产化 |
28nm光刻机多重曝光,中芯国际14nm光刻机
也就是说，如果采用SADP多重曝光，最终实现4倍精度的话，90nm的光刻机，最终理论上确实是可以实现最高22.5nm工艺，可见国产90nm的光刻机，理论上达到28nm是没什么问所谓“28nm光刻机”的说法在行业内并不存在，那么它究竟是何物？DUV光刻机现在有怎样的地位？根据最近ASML第二季度财报，ASML订单量创下历史新高，净利润同比增长36%,环比增长103%的良
诚然，这一标记引发了人们的争议，有些人认为这台光刻机最多只能制造90nm制程的芯片，而另一些人则认为它属于ArF光刻机，最高可以达到65/55nm。最有趣的是，有人称经过多次曝光，这首先业内并没有28光刻机这样的叫法，这个说法只存在民间，但是既然是科普，那还得按普通人的视角来解释。所以所谓的28光刻机，应该到底怎么来定义？按一般意义上的理解，最小精度能满足
28纳米光刻机不仅能用来生产28纳米芯片，更有望通过多重曝光的方式生产14纳米、10纳米、7纳米芯片，只是也就是说，如果采用SADP多重曝光，最终实现4倍精度的话，90nm的光刻机，最终理论上确实是可以实现最高22.5nm工艺，可见国产90nm的光刻机，理论上达到28nm是没什么问题的。不过大家
因此要满足28nm工艺，在不考虑其他工艺因素的情况下，光刻机的极限分辨率应该至少能满足40nm最小曝光线宽，由于40nm的不是主力量产制程，实际情况应该至少满足CD=3因此，在选择制造28nm芯片的方案时，需要考虑多种因素，如芯片成本、制程工艺和芯片稳定性等多个方面。只有综合考虑这些因素，才能选择出最优的方案。结论国产90nm的光刻机在经过
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标签： 中芯国际14nm光刻机
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