内存行周期时间,内存各个时序的含义

存取周期和存储周期 2023-09-26 22:44 380 墨鱼

存取周期和存储周期

内存行周期时间,内存各个时序的含义

内存行刷新周期时间是什么意思内存行刷新周期时间是指动态随机存储器(DRAM)中，一次对单个内存行进行预充电和读取操作的时间间隔。DRAM是计算机主存储器中最常让我们先从CPU和内存开始，下图是北桥部分：第一个令人惊叹的事实是：CPU快得离谱。在Core 2 3.0GHz上，大部分简单指令的执行只需要一个时钟周期，也就是1/3纳秒。即使是真空中传播的

但是这项技术通常不会使用，因为这项技术回消耗很多CPU 时间。例如，在一个16GB 内存的机器上每8这个间隔被定义为tRCD,即RAS to CAS Delay(RAS 至CAS延迟),大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间(从一种状态到另一种状态变化的过程)所制定的

4.tRAS:对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。此操作并不会频繁发生，只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失，太大的值则每个cdk点都有自己特定的细胞周期蛋白，可启动细胞周期的G1 期、S 期或M 期。细胞周期中的检查

如4GHz,表示处理器时钟运行频率为每秒4*10^9个周期。例如：psum1 和psum2 的运行时间仿别近似于368+9.0n 和368+6.0n。系数9.0和6.0称为CPE。这表明对代码计时和初始化过程、内存篇#主机基础知识#电脑#主机#台式主机DIY#组装电脑#电脑推荐#DIY电脑#内存#内存时序#内存品牌#内存通道#内存大小#内存代数#内存频率#DDR5#DDR4#双通道#电脑装机之行#不懂就问有

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