中芯国际宣布7nm工艺的量产

中芯国际宣布7nm工艺的量产

来自显卡巨头英伟达(NVDA.NSDQ);瀚博半导体创始人钱军，曾任超威半导体(AMD.NSDQ)高管；荣芯半导体创始人陈军，早年就职于中芯国际(688981)的研发部门，之后曾任职美国AOS万代半导体、台积电宣布将于美国亚利桑那州建设的5nm芯片厂，投资金额在120亿美元，预计每月将提供2万片产能。英特尔拟新建的两座晶圆厂，预计将在2024年量产7nm或更先进制程。中芯国际今年

中芯国际称7nm EUV光刻机问题已解决研发步入正轨在半导体工艺进入10nm节点之后，制造越来越困难，其中最复杂的一步——光刻需要用到EUV光刻机了，而后者目前只“目前台积电、三星和格罗方德等企业已经实现量产7nm的芯片，与它们相比，中芯国际的技术至少要落后两到三代。”孙燕飚进一步对《商学院》记者说道。以台积电为例，2018年4月，台积电

∩０∩ 现如今台积电已经实现7nm量产，但中芯国际还处于14nm技术水平，落后台积电二代到三代。意识到问题所在的中芯国际也在加大对技术的投入。2017年~ 2019年，中芯国际的研发费用分别为35.7目前最先进的是5纳米及以下芯片，工艺制程越小，芯片就越先进。2022年8月，中国最大芯片制造商中芯国际宣布，7纳米芯片已开始出货，这仅比当下最先进芯片落后一代。

＋＾＋ 不过目前中芯国际在7nm以及更先进的制程工艺上仍旧处于被限制的阶段，即使已经具备了足够的技术储备，但因没有EUV光刻机形成难以量产的困局。此次中芯国际与ASML签订12亿大单，也可以被视为与全球先据悉，相较于14nm芯片工艺，中芯国际最新一代N+1芯片工艺的性能提高20%,功耗降低57%,逻辑面积减少63%,SoC面积减少55%。按照这样的参数水准，中芯国际的N+1芯片工

他表示，中芯国际的7nm进入风险量产阶段，按照之前的技术路线，下一步应该是5nm、3nm等技术，要突破这些技术EUV光刻机是必须的，但在目前形势下中芯国际无法得到相在上游设计环节，华为海思5nm芯片已可与高通争锋；在门槛极高的中游制造环节，中芯国际和华虹半导体正向最复杂的晶圆制造领域加速攻坚，中芯国际先进制程达到14nm,并在7nm工艺取