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内存是非易失性存储器吗 |
非易失性存储器有哪些,存储器存取周期最短的是
非易失性存储器通常是指存储在半导体存储芯片中,将数据存储在由浮栅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)组成的浮栅存储单元中,包括闪存存储,例如NAND闪存和固态-状态驱动器(SSD)。非易失性存储易失性存储器有SRAM、DRAM、SDRAM和DDR等,主要用途分别是高速缓存(cache)和内存条。非易失性存储器主要是包含硬盘(磁学,HardDisk Drive, HDD)、Flash、光盘(光学),用在我们的U盘,SD
目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器,如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性RAM)和NVSRAM(这些新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型:闪存(Flash),铁电随机存取存储器(FeRAM),磁性随机存取存储器(MRAM),相变存储器(PCM)和RRAM。非易失性存储器,特
ˇ0ˇ 闪存英文名字——flash memory 是一类非易失性存储器,基于EEPROM,它已经成为了一种重要的存储技术。闪存无处不在,为大量的电子设备提供快速而持久的非易失性存储,包括数码闪存(flash memory,有时称为flash RAM)是一种不断供电的非易失性存储器,它能在称为块(block)的存储单位中进行删除和改编。闪存是电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)的变体,EEPROM与闪
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