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场效应MOS管FCP11N60参数PD最大耗散功率：125WID最大漏源电流：11AV(BR)DSS漏源击穿电压：600VRDS(ON)Ω内阻：0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流：5.5AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS(th)V开启电11N60参数：N沟场效应管11A 600V 可用K2828、15N60等型会场效应管代换。

11n60 场效应管的主要参数包括：1.漏极电流(ID, Drain Current):漏极电流是指在特定电压下，从源极到漏极的电流。通常情况下，漏极电流越大，场效应管的导电能力越强。2.源极电型号：11N60 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):11 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.65 Ω 封装：TO-220 更多N沟道场效应管BF256A3SK191LNC7N604N6

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