tip35c参数用途,lm358n芯片作用

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大功率NPN三极管TIP35C参数TIP35C中文参数晶体管类型NPN最大工作频率3 MHz 最大直流集电极电流25 A引脚数目3 最大集电极-发射极电压100 V每片芯片元件数目1 封装类型TO-247尺寸20.15 x 15.75 x 5.15mm 安装类型通孔宽度5.1

NPN功放音响功率管TIP35C参数规格电路应用中文资料SPTECH TIP35C 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor TIP35C DESCRIPTION ·DC Current Gain-:h FE =25(Min)@I C =1电路的转换效率低。TIP35C的详细引脚图如下图所示电阻器R1 用作基极电阻器，它提供足够的基极电流以驱动晶体管处于饱和点。470uF电容C1是电路的重要组成部分。这是因为电容器有两

华强电子网ic百科频道为您提供TIP35C中文资料PDF,并为您详细介绍TIP35C芯片的概述、功能、特性、参数、工作原理以及引脚图功能等信息，让您更好地了解TIP35C;更多精彩，请关注TIP35C 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数频率3 MHz 额定电压(DC) 100 V 额定电流25.0 A 针脚数3 极性NPN 耗散功率125 W 集电极击穿电压100 V 击穿电压(集电

∩▂∩ 大功率NPN三极管TIP35C参数.pdf,TIP35C ® TIP36B/TIP36C COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS STMicroelectronic PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTIO大功率NPN三极管TIP35C参数TIP35CTIP36B/TIP36C COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS STMicroelectronicPREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION siliconE

功放音响专用大功率NPN三极管TIP35C参数规格电路应用中文资料SPTECH TIP35C 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor TIP35C DESCRIPTION ·DC Current Gain-:h FE =25(Min)@I C =1.5A 型号：TIP35C 类型：NPN三极管集电极耗散功率(PC):125 W 集电极电流(IC):25 A 集电极与基极最高耐压(VCBO):100 V 集电极与发射极最高耐压(VCEO):100 V 发射极与基极最高耐压(V