常用功率晶体管参数大全,2n3947晶体管参数

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常用三极管型号参数大全(1)晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC1890A120V0.05A0.3W**NPN 2SC136050V0.05A0.5W**NPN 2SA1304150V1.5A常见大中功率管三极管参数晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344

＞△＜ 13常用场效应管和晶体管参数大全常用场效应管和晶体管参数大全IRFU02050V15A42WNMOS场效应IRFPG421000V4A150WNMOS场效应IRFPF40900V4.7A150WNMOS场效应IRFP924后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪音晶体管，其耗散功率为100~200V。常用的大功率互补对管SC2922/2SA1216\2SC3280/2SA1301\2SC3281/2SA1302\2N3055/

常用场效应管及晶体管参数(3) 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN 2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 1.开启电压UT (MOSFET) 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压

常用晶体管参数表(详细篇) 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型90 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W常用场效应管和晶体管参数大全关键字：常用场效应管和晶体管参数大全IRFU020 50V 15A 42W NMOS 场效应IRFPG42 1000V 4A 150W NMOS 场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W NMOS 场

●０● 常用晶体管参数表(详细篇) 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型90 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W *常用功率场效应管参数大全在嵌入式开发过程中的速查手册资源推荐资源评论场效应管各参数详细说明.doc 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，