银行副行长工作计划
09-26 572
fga25n120晶体管参数 |
fga15n120antd参数,24n50场效应管参数
FGA15N120ANTD中文资料功能介紹中文: 功能介紹英文:1200V Trench IGBT 品牌:FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] 封装:引脚:功能介紹中文: 功能介紹英文: 品牌:Fa技术参数品牌:ON 型号:FGA15N120ANTDTU 批号:20+ 封装:TO-3P 数量:103688 QQ: 2956735811 描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P 对无铅要求的达标情况:无铅湿气敏感性等级
在FGA15N120 IGBT中,额定电流在前缀FGA之后表示,额定电流在125°C时为15A,最后一个数字如120表示IGBT包括集电极-发射极电压(VCE) 为1200V。本文简单来介绍下FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT 典型性能特性图17.正向特性50 (续) 图18.反向恢复电流30 的di / dt = 200A / μ s 正向电流,I F [A] 10 反向恢复Currnet ,我rr [A]
购买FGA15N120ANTDTU 产品说明FGA15N120AN:1200V,15A,200W 制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 符合RoHS 详细信息配置:Single 集电极—发射极基本参数:电子零件型号:FGA15N120ANTDTU_F109 原始制造厂商:仙童(Fairchild),已被ON安森美收购技术标准参数:IGBT 1200V 30A 186W TO3P 产品应用分类:单路IGBT 点击此处查询
FGA15N120ANTDTU 1200V 15A NPT沟道IGBT 数据:数据表:1200 V,15 A NPT沟槽IGBT NPT技术,此1200V NPT IGBT提供出色的导通和开关性能,高雪崩耐用性,易于并行FGA15N120ANTDTU_F109产品技术参数安装类型通孔长度15.8mm 尺寸15.8 x 5 x 18.9mm 封装类型TO-3PN 高度18.9mm 晶体管配置单宽度5mm 通道类型N 引脚数目3 最大集电极-发射
后台-插件-广告管理-内容页尾部广告(手机) |
标签: 24n50场效应管参数
相关文章
发表评论
评论列表