fga15n120antd参数,24n50场效应管参数

fga15n120antd参数,24n50场效应管参数

FGA15N120ANTD中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：1200V Trench IGBT 品牌：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文： 品牌：Fa技术参数品牌：ON 型号：FGA15N120ANTDTU 批号：20+ 封装：TO-3P 数量：103688 QQ: 2956735811 描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P 对无铅要求的达标情况：无铅湿气敏感性等级

在FGA15N120 IGBT中，额定电流在前缀FGA之后表示，额定电流在125°C时为15A,最后一个数字如120表示IGBT包括集电极-发射极电压(VCE) 为1200V。本文简单来介绍下FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT 典型性能特性图17.正向特性50 (续) 图18.反向恢复电流30 的di / dt = 200A / μ s 正向电流，I F [A] 10 反向恢复Currnet ,我rr [A]

购买FGA15N120ANTDTU 产品说明FGA15N120AN:1200V,15A,200W 制造商：Fairchild Semiconductor 产品种类：IGBT 晶体管RoHS: 符合RoHS 详细信息配置：Single 集电极—发射极基本参数：电子零件型号：FGA15N120ANTDTU_F109 原始制造厂商：仙童(Fairchild),已被ON安森美收购技术标准参数：IGBT 1200V 30A 186W TO3P 产品应用分类：单路IGBT 点击此处查询

FGA15N120ANTDTU 1200V 15A NPT沟道IGBT 数据：数据表：1200 V,15 A NPT沟槽IGBT NPT技术，此1200V NPT IGBT提供出色的导通和开关性能​​,高雪崩耐用性，易于并行FGA15N120ANTDTU_F109产品技术参数安装类型通孔长度15.8mm 尺寸15.8 x 5 x 18.9mm 封装类型TO-3PN 高度18.9mm 晶体管配置单宽度5mm 通道类型N 引脚数目3 最大集电极-发射