集成电路器件与工艺,现代集成电路半导体器件

集成电路器件与工艺,现代集成电路半导体器件

2.1 引言集成电路制造工艺发展的直接动力来自于单位晶体管制造成本的不断降低和晶体管性能的不断提高的第1讲半导体器件(IC)制作工艺简介半导体器件（IC）制作工艺简介目录1.图形转换（光刻与刻蚀工艺）2.氧化工艺3.掺杂工艺（扩散与离子注入）4.制膜（制作各种材料的薄膜）5

1.1.4 CMOS工艺制程技术简介1.2 特殊工艺制程技术1.2.1 BiCMOS工艺制程技术简介1.2.2 BCD工艺制程技术简介1.2.3 HV-CMOS工艺制程技术简介1.3 MOS集成电路的发展历史1.4 MOS器件的发展第四章集成电路器件工艺4.1双极型集成电路的基本制造工艺4.2MESFETHEMT工艺4.3MOS工艺和相关的VLSI工艺4.4BiCMOS工艺第四章集成电路器件工艺IC材料、工艺、器

实验室聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行MOS新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。实验室三个主要集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、

ˇ▂ˇ 与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度易实现多层化，主要用于高速器件封装，如高频器件输入输出板、光通信器件、混合集成电路等。AlN,热导率是Al2O3的20倍，CTE与硅相匹配，具有机械强度高、质量小优

≥△≤ 01从半导体产品来看按照主要生产过程区分，芯片产业链可分为上、中、下游。例如，芯片产业链的上游集成电路原材料、设备等生产资料的核心产业组成。中游可以分为半导体芯片设计、制造内容简介：本课程为研究生新生较为全面地介绍集成电路技术各主要技术方向，包括纳米尺度CMOS器件原理与工艺、新材料在集成电路技术中的应用、人工智能芯片、新型存储器的工作原