天玑1100参数,天玑1000十与8200对比

天玑1100参数,天玑1000十与8200对比

1、参数对比2、天玑1100处理器性能天机1100采用台积电6nm工艺制程，CPU由四颗主频为2.6Ghz 的A78大核心和四颗主频为2.0GHz的A55能效核心“4+4”双丛集架构设联发科天玑1100 参考价：暂无报价基本参数CPU型号天玑1100 制程台积电6 nm CPU架构4×A78 2.6GHz+4×A55 2.0GHz CPU核心8核GPU型号Arm Mali-G77 MC9 功能参数移

∪▂∪ 一、参数对比二、性能分析1、天玑920芯片天玑920采用台积电6纳米工艺，由两颗A78主频2.5GHz的大核心，6颗A55主频2.OGHz小核心组成，GPU采用Mali -G68 4核心，相天玑1100参数：1、采用了4个大核+4个小核设计，由4个A78主频2.6GHz大核心，4个A55主频2.0GHz的小核心组成。2、GPU是G77 MC9，最高支持144Hz屏幕刷新率，最高支持1亿像素。3、采用6

从性能上来说，高通家当代最强中端处理器骁龙778G是比不过联发科家天玑1100，跑分可做简单对比参考：天玑1100单核跑分：860，多核跑分：3525；骁龙778G单核跑分：780，多核跑分2950。即使高通刚刚天玑1100,台积电6nm,4xA78@2.6GHz + 4xA55@2.0GHz,Mali-G77 MC9@836MHz 天玑1200,台积电6nm,1*3.0GHz A78+3*2.6GHz A78+4*2.0GHz A55,Mali-G77 MC9@886MHz Redmi Note 10 Pro就是很

天玑1100 主要参数+补充参数CPU主频2.6 GHz 核心数量8 核看跑分线程数量8 线程核心架构Cortex-A78, Cortex-A55共23款生产工艺6 nm N6 二级缓存待补充三级缓存2 MB TDP功耗10W 内存参数+补充天机1100采用最新的6nm工艺制成，CPU由四颗主频为2.6Ghz的A78大核心和四颗主频为2.0GHz的A55能效核心组成，GPU为ARM G77 MC9,最高UFS3.1闪存支持；联发科1100采用6nm工艺和传统的4+4大