非易失性存储器研究进展,ram是非易失性存储器吗

非易失性存储器研究进展,ram是非易失性存储器吗

非易失性存储器是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品【关键词】SRAM;非易失EEPROM;铁电；阻变一、概述半导体存储器可以分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器包含静态随机存取存储器和动态随机存取存储器，其中，SRAM

该综述论文首先介绍了新型非易失性内存的特性，然后从计算机存储架构、操作系统对异构内存的管理、异构内存的编程模型三个方面，详细介绍了当前最新的研究工作，包括异构内存架构、数长期以来，计算机中的内存(Memory)与存储(Storage),总被视作两部分独立工作的组件。虽然一些制造商尝试将RAM 和NAND 的优势整合到一体封装中，但迄今为止的成

近日，北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得了重要进展。非易失存储器作为信息存储的核心载体，利用存储材料的物理特性作为存储“介质”。由于其具有能NVMM是对多种新型非易失存储介质的统称，目前的NVMM包括：相变存储器Phase-Change Memory (PCM)、忆阻器Memristor(ReRAM)、自旋扭矩转换随机存储器Spin Transfer Torque - Magnetic

高密度、低功耗非易失性磁存储器研究新进展他们利用在各个方向产生的自旋来使用多晶CoFeB/Ti/CoFeB 创建无场切换，因为这种材料已经用于自旋电子器件的大规模生产。此外，与现有的这是一个极为重要的发现。后来的事实证明，MOSFET是半导体存储器存储单元的重要基础元件，可以说是奠基性技术。当时，越来越多的企业(摩托罗拉、英特尔、德州仪器、AMD等)加入到半导